存储市场分化：AI拉动内存需求复苏 闪存厂商仍陷减产泥潭

存储市场近日出现分化行情。NAND Flash（闪存）和DRAM（动态随机存取内存）作为最主要的存储芯片，多类消费电子需求疲弱背景下，多家NAND Flash厂商仍在减产，另一边，因AI服务器需求增加，与AI场景高算力需求匹配的HBM（高带宽内存）芯片需求上升，助力DRAM整体需求复苏。

8月11日，第一财经记者从深圳华强北多家电脑装机商家了解到，NAND Flash主要产品之一固态硬盘价格持续下跌，目前已是年内低点。

(资料图片仅供参考)

反映至NAND Flash厂商业绩，铠侠8月9日发布的2023年Q1财报显示，截至今年6月30日的最新季度里，其收入2511亿日元，同比减少31.6%，营业利润亏损1308亿日元，平均售价环比下降。

需求不振下，日媒近日报道称铠侠在日本岩手县北上市新建的厂房将推迟投入使用。今年7月末，三星和SK海力士则在财报会上释放NAND产量继续下调的信号。

另一边，DRAM走出不同行情，AI浪潮催化下，DRAM行情好转的迹象更明显，随着HBM存储成为行业热点，三星、SK海力士均传出扩产HBM产能的消息。

“DRAM行情比NAND Flash更早复苏，原因包括DRAM前期减产更猛烈、DRAM在智能手机等终端应用中的需求相对刚性，AI场景对HBM的需求也有所增加。”Counterpoint研究副总监BradyWang告诉记者。

目前，HBM市场基本被SK海力士、美光和三星三家DRAM大厂瓜分，但国内相关产业链公司近期也受到资本关注。从市场谷底望向后市，这股AI风潮下，国内存储相关厂商能受益几何、行情复苏何时到来？

闪存厂商减产

存储器在消费电子市场的价格仍在低点。华强北多位电脑装机商家称，近期CPU、主板等电脑部件价格波动上涨，但固态硬盘价格较稳，目前已是年内低点。普通2.5寸1T固态硬盘售价低至300元左右，品质更高、读写速度更快的型号价格400~500元，普通2T固态硬盘售价在500元左右。

有商家称，去年还售400、500百元的固态硬盘，如今跌至200多元。更久以前，固态硬盘价格约每1G销售0.8元，现已大打折扣。

固态硬盘是以NAND Flash为介质的一类主要存储产品，应用于PC、笔记本电脑、数据中心等场景，此外，U盘、手机等移动设备也多采用NAND Flash介质存储。消费电子市场和数据中心需求偏弱背景下，多类NandFlash产品降价，厂商近期仍在控制产能。

三星相关负责人已在7月底的电话财报会上称，三星将减产部分DRAM和NAND产品，尤其是NAND产品。SK海力士称，考虑到较高的行业库存水平和NAND的盈利能力低于DRAM，将进一步削减NAND产量。铠侠在财报中称，因闪存制造商生产调整，供需平衡状况逐步改善，客户库存改善及PC、智能手机内存增长有望修复闪存需求。但铠侠同时承认，因库存调整和企业IT支出疲软，2023年度数据中心和企业级固态硬盘需求将放缓，市场复苏延迟下，铠侠将根据市场情况调整生产。

据慢慢买比价平台，DRAM主要产品之一电脑内存条在主流电商平台上也处于价格低位。京东32GB笔记本内存热卖榜中，一款金士顿内存自今年下半年起便售540元左右，相比年初降价约50元，一款三星内存年内波动降价，目前售574元。

但相比之下，DRAM需求及价格回暖速度仍快于NAND Flash。DRAM厂商南亚科技高管在7月的财报会议上称，DRAM需求在2023年第二季度触底，预计2023年下半年将出现轻微或温和的需求反弹。集邦咨询此前则预计，第三季度NAND Flash均价下跌约3~8%，DRAM均价跌幅将收敛至0~5%。此外，HBM近期需求火爆，逐渐催化DRAM行情回暖。

HBM成市场新宠

HBM是一种基于3D堆叠工艺的高效能DRAM，通过硅通孔（TSV）技术堆叠后可与GPU一起封装，拥有更高带宽和较低耗能。处理器高算力情况下，采用HBM可以避免因存储器数据访问速度慢于处理器数据处理速度导致的“内存墙”。

2023年以来，科技大厂接连布局AI大模型，掀起“百模大战”。AI训练多使用先进GPU（图形处理器），HBM则是此类GPU存储单元的理想解决方案。集邦咨询分析称，NVIDIA、AMD、Intel等高端AI芯片大多选择搭载HBM。2023年至2024年AI建设爆发期，大量需求集中在AI训练芯片上，推升HBM使用量。2023年，HBM即便在原厂扩大产能的情况下，仍无法完全满足客户需求。从各原厂规划看，预计2024年HBM供给位元量将年增长105%。

HBM主要玩家是SK海力士、三星和美光。SK海力士HBM3产品目前领先，但三星和美光已在发力，市场竞争趋于激烈。

今年7月底，美光宣布推出业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存。SK海力士和三星则释放扩产HBM产能的消息。SK海力士高管在7月的财报电话会中称，为了在有限的资本支出预算内确保高密度DDR5/HBM的生产能力，将努力提高生产率并减少在其他方面的投资。

据集邦咨询数据，2022年SK海力士、三星和美光HBM市占率为50%、40%、10%，随着SK海力士和三星扩产及客户加单，预计2024年SK海力士、三星市占率差距缩小，两家共占约95%份额。

随着HBM成为市场焦点，部分国内产业链公司也受到市场关注。民生证券研报称，HBM拉动上游设备及材料用量需求提升，相关产业链环节有望受益，国内产业链也在迅速跟进。不过，包括雅克科技、联瑞新材、香农芯创在内的多家存储芯片相关产业链公司在7月上旬股价拉升后，近日均有所回调。

BradyWang告诉记者，鉴于目前HBM厂商限于SK海力士、三星和美光，国内存储厂商短期内参与HBM产业链的机会比较有限，此外，因目前HBM需求较急、利润较高，厂商更需要稳定的供应商而不会优先考虑降成本，短期国内厂商新进入产业链的机会也有限，但未来存在机会。而放在整个AI浪潮中，材料、设备等多类国内产业链厂商均有机会受益于AI服务器需求增加。

例如，AI服务器需求增长未来有可能整体拉动存储器需求。美光此前曾表示，AI服务器对DRAM和NAND Flash的容量需求是传统服务器的8倍和3倍。

BradyWang还表示，虽然AI服务器市场增长快，但AI服务器与传统服务器或PC的量级不同，HBM在DRAM市场中的体量有限。随着厂商建厂扩产，相关HBM产能放量应等到2025年。未来DRAM市场恢复增长还有赖于PC、手机等产品需求恢复。

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